Propiedades estructurales y ópticas de compuestos (AIN, GaN, InN)
Manifestación
- Autores
-
- Autor: Pérez Taborda, Jaime Andrés
- Identificador
- 866739
- Fecha de publicación
- 2011
- Forma obra
- Texto
- Lugar de producción
- Revista Tumbaga; Vol. 1, No. 6, 2011
- Idioma
- español
- Nota de edición
- Digitalización realizada por la Biblioteca Virtual del Banco de la República (Colombia)
- Materias
-
- Ciencias naturales y matemáticas; Ciencias naturales y matemáticas / Física; Tecnología; Tecnología / Ingeniería y operaciones afines
- Notas
-
- Colfuturo
- © Derechos reservados del autor
- The purpose of this review article is to understand the technological advanced and manufacturing of the nitrides of group III-V review structural and vibrational properties. In the section related optical energy gap prohibited and the lattice pa- rameter with the energies of the vibrational modes.
Currently the interest in nitrides of group III-V is due to it ?s unique advantages in two key application areas: light- emitting diodes and high power electronics and high temperature.
The Optoelectron- ics market is at 20 billion dollars currently per year, and is further expand rapidly in the next decade. Then we will describe the progress, perspectives, and Challenges in the Developments of new electronic and Optoelectronic devices based on nitrides of group III - V. - Banda de energía; Nitruro de Aluminio (AlN); Nitruro de Galio (GaN); Nitruro de Indio (InN); Propiedades estructurales; Propiedades ópticas; Semiconductor
- Enlace permanente
- https://www.cervantesvirtual.com/obra/propiedades-estructurales-y-opticas-de-compuestos-ain-gan-inn-866739
- Enlaces