Propiedades estructurales y ópticas de compuestos (AIN, GaN, InN)

Manifestación

Autores
Identificador
866739
Fecha de publicación
2011
Forma obra
Texto
Lugar de producción
Revista Tumbaga; Vol. 1, No. 6, 2011
Idioma
español
Nota de edición
Digitalización realizada por la Biblioteca Virtual del Banco de la República (Colombia)
Materias
  • Ciencias naturales y matemáticas; Ciencias naturales y matemáticas / Física; Tecnología; Tecnología / Ingeniería y operaciones afines
Notas
  • Colfuturo
  • © Derechos reservados del autor
  • The purpose of this review article is to understand the technological advanced and manufacturing of the nitrides of group III-V review structural and vibrational properties. In the section related optical energy gap prohibited and the lattice pa- rameter with the energies of the vibrational modes.
    Currently the interest in nitrides of group III-V is due to it ?s unique advantages in two key application areas: light- emitting diodes and high power electronics and high temperature.
    The Optoelectron- ics market is at 20 billion dollars currently per year, and is further expand rapidly in the next decade. Then we will describe the progress, perspectives, and Challenges in the Developments of new electronic and Optoelectronic devices based on nitrides of group III - V.
  • Banda de energía; Nitruro de Aluminio (AlN); Nitruro de Galio (GaN); Nitruro de Indio (InN); Propiedades estructurales; Propiedades ópticas; Semiconductor
Enlace permanente
https://www.cervantesvirtual.com/obra/propiedades-estructurales-y-opticas-de-compuestos-ain-gan-inn-866739
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