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Título:
Low thermal conductivity and improved thermoelectric performance of nanocrystalline silicon germanium films by sputtering
Fecha de publicación:
2016
Forma de obra:
Libros de texto
Producción:
Nanotechnology 27, 2016
Idioma:
inglés
Nota de edición:
Digitalización realizada por la Biblioteca Virtual del Banco de la República (Colombia)
Autor:
Pérez Taborda, Jaime Andrés; Romero, Juan José; Muñoz Rojo, Miguel; Briones, Fernando; Maíz, Jon; Gonzaleza, Marisol Martin
Materia:
Ciencias naturales y matemáticas; Ciencias naturales y matemáticas / Física
Nota general:
© Derechos reservados del autor
Nota general:
Colfuturo
Nota general:
Si x Ge 1? x alloys are well-known thermoelectric materials with a high figure of merit at high temperatures. In this work, metal-induced crystallization (MIC) has been used to grow Si 0.8 Ge 0.2 films that present improved thermoelectric performance (zT= 5.6× 10? 4 at room temperature)—according to previously reported values on films—with a relatively large power factor (? centerdot S 2= 16 ?W centerdot m? 1 centerdot K? 2). More importantly, a reduction in the thermal conductivity at room temperature (?= 1.13±0.12 W.
Nota general:
Silicio germanio; Termoelectricos; Plasma
Enlace permanente:
http://www.cervantesvirtual.com/obra/low-thermal-conductivity-and-improved-thermoelectric-performance-of-nanocrystalline-silicon-germanium-films-by-sputtering-852629

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